深圳市远勋技术有限公司

中  文 | English

产品中心您所在的位置:首页IGBT

YX50N65

日期:2023-03-03 23:20:41

描述
Solar photovoltaic inverters Uninterruptible power supplies (UPS) Inner IGBTs for NPC inverters Neutral-point IGBTs for T-type inverters
主要特点

Absolute Maximum Ratings (TC=25°C unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Value

Units

VCES

Collector-Emitter Voltage

650

V

VGES

Gate- Emitter Voltage

±30

V

IC

Collector Current

100

A

Collector Current @TC  = 100 °C

50

A

ICpuls

Pulsed Collector Current tp  limited by Tjmax

200

A

-

Turn off safe operating area VCE=650V Tj=150°C

200

A

IF

Diode Continuous Forward Current @TC  = 100 °C

50

A

IFM

Diode Maximum Forward Current

300

A

PD

Power Dissipation @ TC  = 25°C

260

W

Power Dissipation @TC = 100 °C

135

W

TJ ,Tstg

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 175

°C

TL

Maximum Temperature for Soldering

260

°C

tsc

Short circuit withstand time VGE=15V, VCC400V,     Allowed number of short circuits<1000Time between short circuits:1.0s,Tj 150°C

5

us