深圳市远勋技术有限公司

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YX75N65

日期:2023-02-26 21:10:32

描述
Ultra-low VCE(sat) High Surge Current High Ruggedness
主要特点

Absolute Maximum Ratings (TC=25°C unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Value

Units

VCES

Collector-Emitter Voltage

650

V

VGES

Gate- Emitter Voltage

±30

V

IC

Collector Current

150

A

Collector Current @TC  = 100 °C

75

A

ICpuls

Pulsed Collector Current tp  limited by Tjmax

300

A

-

Turn off safe operating area VCE=650V Tj=150°C

300

A

IF

Diode Continuous Forward Current @TC  = 100 °C

75

A

IFM

Diode Maximum Forward Current

300

A

PD

Power Dissipation @ TC  = 25°C

468

W

Power Dissipation @TC = 100 °C

234

W

TJ ,Tstg

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 175

°C

TL

Maximum Temperature for Soldering

260

°C

tsc

Short circuit withstand time VGE=15V, VCC400V,     Allowed number of short circuits<1000Time between short circuits:1.0s,Tj 150°C

5

us

Thermal Characteristic

Symbol

Parameter

Value

Units

RθJC

Thermal Resistance, Junction to case for IGBT

0.32

°C/W

RθJC

Thermal Resistance, Junction to case for Diode

1.41

°C/W

RθJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

40

°C/W